IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT IXYS IXXH110N65C4
Hãng sản xuất: IXYS Model: IXXH110N65C4 - Liên hệ
Gọi để có giá tốt
TP. Hà Nội: (024) 35.381.269
TP. Đà Nẵng: (023) 63.747.711
TP. Bắc Ninh: (0222)730.39.68
TP. HCM: (028) 38.119.636
Technology: Si
Unit Weight: 4.500 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 880 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Continuous Collector Current Ic Max: 110 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.35 V
Continuous Collector Current at 25 C: 235 A
- Cam kết chất lượng
- Bảo hành chính hãng
- Giao hàng tận nơi
- Đơn giản hóa giao dịch
